Cmos優勢物料推選七：CMB044N10B
功率半導體器件是電力電子設備中電能轉換與電路控制的核心元器件，隨著近年來新能源汽車、光伏、軌道交通、智能電網等產業的發展，以及半導體行業的回暖，市場對功率器件的需求迅速升溫。
性能一直是廠家和用戶追求的終極變量。然而，傳統材料和老舊的制造工藝在電能轉換效率、重量和體積方面越來越顯現出不足和局限性，難以適應未來電力電子系統對“高效、綠色、低碳”功率半導體器件的要求。在此，新材料的發明和新工藝的發現將迫在眉睫。在新材料方面，第三代半導體SiC，GaN材料在禁帶寬度、導熱性能、臨界擊穿場強、電子飽和漂移速度上的優勢明顯，符合未來電力電子系統小型輕量化、高效一體化、安全可靠化的發展趨勢。在制造工藝方面，柵極分割改進型溝槽，深溝槽和多層外延EPI工藝的提高，在降低能耗，提升效率方面得到優化，迅速成為主流蝕刻技術。隨著全球“碳達峰、碳中和”目標的逐步實現，新材料和新工藝將帶來更為顯著的經濟效益。
相比于新材料的發現，制造工藝的發展和應用則周期更短，更具有經濟性。下圖是MOSFET工藝的發展趨勢，顯然，工藝的發展不斷地提升芯片的性能。
CMB044N10B MOS管是一款采用柵極分割改進型溝槽工藝設計的大功率FET，屬于低電壓大電流MOS，具有卓越的性能和廣闊的應用市場。
封裝形式
CMB044N10B MOSFET提供了TO-220，TO-263和TO-262三種常規的散熱性優越的封裝形式，其外觀和內部拓撲結構如下圖所示：
電性參數
卓越的過載能力
CMB044N10B是一款低壓大電流的場效應管，其導通工作電壓為100V，漏源持續電流ID高達120A。具有卓越的極限承載能力，能夠滿足大部分應用需求。
優秀的抗沖擊性
EAS是衡量MOS管性能的重要參數之一，該值可以評估MOS關在實際應用中的可靠性和穩定性。EAS指標越大則表示MOS管耐擊穿能力越強。預示著在實際應用中即使工作電壓超過MOS管的擊穿電壓BVDSS，也不容易發生損壞失效。CMB044N10B EAS=1458Mj，這個指標能夠輕松駕馭大功率感性負載引起的沖擊。
低功耗
飽和導通內阻RDSON是決定MOS管在導通時轉化效率的關鍵指標，CMB044N10B RDSONTyp. 只有3.5mΩ，極低的導通內阻，即便是承載大電流也不會產生過多額外的熱量。
Cmos半導體產品
Cmos產品有：MOS場效應管，晶閘管，IGBT，三端穩壓芯片，三極管，二極管等，應用鄰域廣泛，性能可靠穩定。
Cmos產品應用領域
消費電子類：家電，電動車，無人機，戶外顯示，開關電源，筆記本電腦，電動工具；
工業電子類：智能儀表，無線通訊，光伏，5G通訊，服務器，物聯網；
汽車電子類：新能源汽車，充電樁，軌道交通。
Cmos半導體是優質的國產半導體廠家，擁有豐富的MOSFET和其他半導體產品，具備出色性能以及價格優勢。產品生產工藝齊全先進，產品系列應用廣泛，產品分布低功率至高功率應用。更多型號資料請聯系在線客服或登錄Cmos官網，可索取免費樣品以及報價、技術支持服務。
