CMSA070N10是一款高性能N溝道功率場效應管（MOSFET），采用Cmos先進的SGT工藝制成，具有高頻特性好，轉換效率高的特點。

CMP107N20是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術工藝生產，具有優秀的導通電阻RDS(ON)，是高頻開關和同步整流的理想MOS，也非常適合用于電機驅動控制、電池管理、不間斷電源、逆變器電源等等。

CMSC1653是一款采用場效應半導體先進溝槽工藝開發的N溝道型MOSFET產品，其最大特點是具有卓越的優值系數（FOM）。

CMH50N20是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的平面條紋DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON），抗沖擊能力強，廣泛應用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅動等電路中。

CMSA010N04是Cmos自己研發的柵極多層分割槽工藝制造的一款分離半導體器件。