CMD060N10是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT工藝技術和設計，提供優秀的RDS(ON)、Qg、CISS，非常適合用于DC-DC電源、電源切換應用，開關控制，電機控制、LED控制等多種應用。

CMD840 MOS是一款采用平面工藝設計的高壓小電流FET，作為電子工程師我們都知道，平面工藝FET很多電性特征參數都與內部晶片大小息息相關。

CMF65R140是Cmos推出新一代650V功率超結MOSFET，可用于數據中心服務器電源、太陽能（PV）功率調節器、不間斷電源系統（UPS）和其他工業應用。

CMSC012N06是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT工藝技術和設計，采用DFN-8 3.3x3.3封裝，能夠減小PCB板尺寸和提高空間利用率，是緊湊型DC-DC電源、高能效電源、同步整流電源的優選MOS。

隨著電力電子技術的不斷發展，各類分立器件應用已經非常廣泛。金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），以其低功耗、高頻率開關速度的特點在現代電路中得到大力發展。但是隨著功率開關場效應晶體管朝著高頻化發展，針對場效應開關管的驅動電路設計要求也愈來愈高。