CMD65R380Q：優秀開關電源MOS

>>CMD65R380Q詳情頁

CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先進的超結技術，提供優秀的RDS(ON)和極低門電荷。采用優化的電荷耦合技術，提供高效率。為設計者提供低EMI和低開關損耗的優勢，非常適合UPS電源、PFC電源，及各類開關切換模式電源。

CMD65R380Q的主要電氣特性包括： 

耐壓能力：CMD65R380Q的耐壓（BVDSS）為650V。

電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）為11A。

雪崩能量：CMD65R380Q采用Cmos先進的超結技術，100%雪崩能量測試，單次雪崩能量EAS為202mJ。

低EMI：CMD65R380Q采用Cmos先進的超結技術，應用時具有低EMI、易通過EMC測試的特點。

低熱阻：CMD65R380Q采用TO-252封裝，具有良好的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為1.5℃/W，有很好的散熱能力。

低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMD65R380Q的導通電阻（RDS(on)）最大為0.38Ω。低導通電阻能降低導通狀態下的損耗，提高電路的能效，使得在開關電源電路應用中效率更高。

低開關損耗：低QG、較小的CISS，使其具有優越的開關性能，較小的開關損耗。

CMD65R380Q 由于其優異的特性，適用于多種開關切換電源，MOS管的低熱阻、低導通電阻直接決定管子工作時的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結電容，使管子有較好的開關特性及低開關損耗。CMD65R380Q表現出色，能夠很好地滿足電路需求。

通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMD65R380Q中，使其成為各種開關切換類電源應用中表現優秀的MOS。