CMP130N85A核心優勢解析
摩爾定律揭示了這樣的規律，就是隨著微電子技術的發展，集成電路的集成性將會逐級提高。集成電路是由集成度較高的IC和分離型功率半導體器件或功率模塊構成。在IC鄰域集成度最高的大型集成性的SOC，中性集成性的MCU以及小型單片機，分離型半導體功率器件如，MOSFET、IGBT、可控硅以及GaN、SiC等其他第三代分離半導體器件在提高甚至擴大功能的同時不斷縮小了體積，并且實現了動靜態能耗比顯著降低之優點，從而提高和延長了設備設施的穩定性和續航能力，綜上優點將成為集成電路發展顯著特點。
從集成電路的構造來看，分離半導體器件是構成大型集成電路的基礎元件或者是與IC實現Logic功能具有相關性。就拿Cmos CMP130N85A MOSFET分立器件來說，其不僅是簡單的電壓控制性開關，其內部運行Logic,包含了阻容特性，電感特性，PN結特性等，這些本應只在相關元器件才有的特性錯綜交織在一起，構成了分離器件MOSFET。基于從功能層面和物理結構層面分析，實現集成電路和集成IC不僅僅是各個分離元件簡單粗淺的組合，更是集合功能的深度融合。
CMP130N85A是采用Cmos成熟的柵極多層分割槽工藝制造的一款金屬氧化物功率半導體分離器件。特點是具有更低的輸入輸出電容，滿足了更高頻率的開關切換電路應用。極低的RDSON和QG的優值系數，明顯提高了場效應管自身的轉換效率。理想的RSP特性和參數一致性，使該物料在開關電源的DC/DC模塊，電機驅動以及UPS等應用中展現出良好的穩定性和可靠性。CMP130N85AMOSFET是Cmos倡導綠色、可持續發展理念的又一創新產品。
封裝形式
基礎參數
核心優勢
CMP130N85A是一款低壓應用MOSFET,擊穿電壓BVDSS=85V，采用成熟的Cmos優化溝槽工藝制造。常溫條件下，源漏持續電流可達120A，具有優秀的帶載能力。
CMP130N85A提供了TO-220、TO-263、TO-262三種常規封裝，這三種封裝形式背部額外加裝散熱片，具有優秀的散熱能力,這些封裝即拓寬了不同PCBA設計環境的適用性，又保障了在大功率輸出條件下的熱平衡。
場效應管的優值系數FOM=QG×RDSON ，QG值反映了場效應晶體管的動態特性，RDSON是反映了靜態特性，FOM綜合反映了場效應晶體管對能量的轉換效率。擁有優秀高效的轉換效率，不僅提高了場效應自身的應用領域，而且符合綠色設計可持續發展的需要。
降本增效
場效應管以其超高頻次（frequence可達兆赫茲以上）的開關速度在通信鄰域，PLC工業控制，汽車ECU,無人機，醫療器械和智能機器人領域被大量應用。作為重要的開關元器件，MOSFET自身的能效比和開關響應時間是保障性能的關鍵。
在常溫環境中，CMP130N85AD的飽和導通內阻不超過5毫歐，低阻值決定了具有較高的能效比，在UPS不間斷電源，汽車ECU、無人機等高速馬達負載環境中，具有很高的應用價值。
Cmos是知名的國產分離半導體器件品牌，位于深圳，擁有核心的產、學、研三者結合的綜合優勢，整個半導體后道工藝實現完全自主可控。多年來在集成電路鄰域不斷投入，工藝不斷創新，已經成長為一家具有核心競爭力的半導體制造企業。集成電路相關專利申請數量更是同比逐年遞增，已經是國產半導體的明星企業。
Cmos產品有：MOS場效應管，晶閘管，IGBT功率模塊，78系列穩壓芯片，各種三極管和二極管等。
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