高效MOS：CMB180P04G

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CMB180P04G是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的溝槽工藝技術和設計，提供非常優秀的RDS（ON），非常適用于先進的高效開關應用，廣泛應用于負載開關、電池保護電路、LED控制、電機控制等。是一款高效、可靠的優秀MOS管。

CMB180P04G的主要電氣特性包括： 

耐壓能力：CMB180P04G的耐壓（BVDSS）為-40V。

電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）是 -180A。

雪崩能量：CMB180P04G采用Cmos先進的溝槽技術，100%雪崩能量測試，單次雪崩能量EAS為1152mJ。

低熱阻：CMB180P04G采用TO-263封裝，具有優秀的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為0.36℃/W。

低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為-10V時，CMB180P04G的導通電阻（RDS(on)）最大只有4.0mΩ。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗，能提高整體電路的能效，在產品應用中更高效。

低開關損耗：低QG、結電容，使其具有優越的開關性能，和低開關損耗。

CMB180P04G 由于其優異的特性，適用于多種應用電路，包括不限于負載開關、電池保護電路、LED控制、電機控制等。

MOS管的低熱阻、低導通電阻直接決定管子工作時的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結電容，使管子有較好的開關特性及低開關損耗。通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMB180P04G中，使其在電路應用中表現出色，能夠在各種高應力環境下穩定工作。