CMF85R290R是采用Cmos先進超級結技術的功率MOSFET，實現非常低的導通電阻和柵極電荷，通過使用優化的電荷耦合技術，提供更高的效率。

CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的專有平面條形DMOS技術，改進了dv/dt能力，非常適合用于高效開關電源。

CMF10N80是一款綜合性能優秀的N溝道高壓功率MOSFET，采用Cmos先進的平面工藝制造，其核心優勢是抗沖擊性高、高頻特性好、不可控造因素成的特性離散性小等優勢，適用于開關電源（SMPS）、電機驅動、逆變儲能及工業電磁閥小信號類應用等場景。

CMD60R180S6ZD是采用Cmos先進的超級結工藝開發的一款N溝道功率場效應管（MOSFET），其特點具有高頻特性好，反向快恢復時間短，并且具有HBM>2kV的靜電或浪涌防護能力等。

CMSA070N10是一款高性能N溝道功率場效應管（MOSFET），采用Cmos先進的SGT工藝制成，具有高頻特性好，轉換效率高的特點。